前言:
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1.金属冶炼 ,铸造,焊接的过程都存在结晶过程
2. 揭示物质微观结构和性质:晶体结构的研究可以揭示物质的微观结构和性质,为理解物体的宏观性质提供基础。例如,通过对金属晶体结构的研究可以深入探究金属的导电、加工性等性质。
3. 指导新材料的设计和合成:晶体结构与材料的性质密切相关,对于新材料的设计与合成,晶体结构的研究是不可或缺的。通过对晶体结构的分析,可以进一步探究材料的物理化学性质,并验证其在应用中的性能。
六.晶核长大规律
1.晶核长大的条件
晶核长大的充分必要条件是液相必须过冷,而且液相温度必须足够高。
液相达到过冷却状态。这可以通过增加溶质的浓度或降低温度来实现,是晶体生长的关键条件。
没有必要的温度,原子的扩散和迁移就不能进行。
2.晶核长大的机理
(1)光滑界面和粗糙界面
按原子尺度,把固液界面的构造分为粗糙界面和光滑界面两类。
光滑界面之上是液相,以下为固相,固相的表面为基本完整的原子密排面,液-固两相截然分开,所以从微观上看是光滑的,但在宏观上往往由不同位向的小平面所组成,故成折线状,这类界面也称小平面界面。
粗糙界面从微观来看是高低不平的,存在几个原子层厚度的过渡层,在过渡层中大约有约为半数的位置为固相原子所占据。但由于过渡层很薄,因此从宏观上看界面平直,不出现曲折的小平面
(3)连续长大——具有粗糙界面的晶体
在粗糙界面上,液相原子可以连续、垂直地向界面添加,界面的性质永远不会改变,从而使界面迅速的向液相推移,这种长大方式称为垂直长大方式,
其长大速度较快,与ΔT成正比,大多数金属晶体均以这种方式长大,长大速率和过冷度关系如图5所示。
(4)二维晶核长大——具有光滑界面的晶体
当固液界面为光滑界面时,晶体长大只能依靠二维晶核,二维晶核是指定大小的单分子或单原子的平面薄层。若界面为光滑界面,二维晶核在相界面上形成后,液相原子沿着二维晶核侧边所形成的台阶不断地附着上去,使此薄层很快扩展而铺满整个表面,这时生长中断,需在此界面上再形成二维晶核,又很快地长满一层,如此反复进行。
因此晶核长大随时间是不连续的,平均长大速率由下式决定:Vg = K2 e-B/ΔT
式中K2和B均为常数。当∆Tk很小时,Vg非常小,这是因为二维形核功非常大。二维晶核也必须达到一定的临界尺寸后才能进一步长大扩展。
(5)借螺位错长大
实际金属都不是理想晶体,内部存在着各种缺陷。在实际晶体光滑界面上若存在螺型位错时,垂直于位错线的表面呈现螺旋形台阶,且不会消失。因为原子很容易填充台阶,而当一个面的台阶备原子进入后,又出现螺旋台阶。在最接近位错线处,只需要加入少量原子就可以完成一周,而离位错线较远处需要较多的原子加入。这样就使晶体表面呈现由螺旋形台阶形成的圈线。
这三种长大机制中长大速率和过冷度的关系可由图表示。
3.长大条件
金属晶核的长大方式主要有两种,分别是平面长大和树枝状长大。
平面长大发生在较慢的冷却速度下,金属晶体通过表面向前平行推移的方式长大,不同晶面在垂直方向上的长大速度不同。
而树枝状长大则发生在较快的冷却速度下,晶体的棱角和棱边散热条件比面上优越,导致长大较快,形成伸入液体中的晶枝。这两种长大方式受到温度梯度的影响,正温度梯度下倾向于平面生长,形成等轴晶;负温度梯度下则倾向于树枝状生长,形成枝状晶。
负温度梯度:液相中的温度随至界面距离的增加而降低的温度分布状况。
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