最近，三星推出了首款消费级QLC闪存SSD 860 QVO的第二代产品870 QVO：性能小幅度升级，最大容量提升到了8TB。

QLC硬盘没上市之前就不断的被DIY玩家们吐槽寿命低，写入量差，耗尽缓存后读写速度慢，也会建议普通用户避免购买采用QLC闪存的固态，但就如此前消费级TLC逐渐替代MLC一样，厂家在面对产品的成本和性能之间也会做出一定的权衡。目前QLC闪存普遍用于中低端SATA固态，主打性价比和大容量，此前三星860 QVD的容量就做到了4TB，而870 QVD更是提升到了8TB。

据了解，本次870 QVO采用了LPDDR4缓存，将64层的V-NAND闪存升级到了92层，单颗闪存的容量就达到了1TB，而组成一块8TB的固态只需要8颗闪存就可以了，同时主控也从MJX升级到MKX，不过并未公布任何技术更新、固件变化，应该只是常规更新。

870 QVO每1TB容量都相应配置了1GB的LPDDR4 DRAM，1TB版本带有1GB缓存，8TB版本则有8GB，此外870 QVO还设置了模拟SLC缓存来改善QLC闪存的读写性能。特别是在进行写入的时候，一旦SLC缓存容量被使用完，就会掉回QLC闪存的实际速度，性能大幅降低，所以目前固态硬盘性能测试一般分为缓内速度和缓外速度。

根据官方数据，870 EVO的2/4/8TB版本都设有78GB的SLC缓存，1TB则只有42GB。持续读取速度都是560MB/s，SLC缓存下的持续写入都是530MB/s，比上一代860 QVO略快，但是QLC闪存下，2/4/8TB型号的持续写入会降至160MB/s，1TB的更是只有80MB/s，缓内速度还是原地踏步，和860 QVO相比随机和4K读取性能也有所提升。

其实在三星870 QVO之前就已经有厂商推出过8TB容量的固态了，比如Intel S4510镁光、三星PM1725和镁光9200系列，还有镁光和Intel共同开发的第一款8TB容量的QLC固态5210 ION，但是以上产品都是面向企业级市场的，此前消费级的固态最大容量一般为4TB。

不过就算三星也只能算第一家发布消费级8TB QLC SATA固态的厂商了。因为今年5月份的时候，北美存储品牌Sabrent就发布了业内首款消费级8TB M.2固态硬盘——Rocket Q 8TB NVMe PCIe M.2 SSD。

Rocket Q 8TB采用常规M.2 2280尺寸规格，双面颗粒，基于群联E-12S主控，搭载镁光3D QLC NAND颗粒，和三星870 QVO一样单颗闪存容量1TB。采用2GB DDR3内存，支持NVMe 1.3协议，此外Rocket Q 8TB还丧心病狂的设置了512GB的SLC缓存，缓内读取速度3.4G/s写入速度3G/s。此外还支持APST / ASPM / L1.2电源管理和SMART、TRIM检测以及垃圾回收等功能。

随着3D NAND闪存技术的发展，各个存储大厂包括三星、SK海力士、镁光从最开始的32层、64层到现在的96层甚至128层，堆叠层数不断提高。去年在上海举办的GSA MEMERY＋论坛上，三星表示，未来5年内，3D NAND堆叠层数将达到500层，10年内将可达到1000层。

QLC的低成本大存储密度结合3D NAND技术生产的固态硬盘产品会成为未来消费市场的主流，目前2TB以下的固态已经能做到0.x元/GB的了，以后2TB及以上的QLC固态的价格还会更低，至于速度和寿命的问题这就要看用户的具体使用场景了（只要我缓存足够大就不怕掉速），谁不想买到便宜又大杯的产品呢？

（编辑：hnm）