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美国政府给三星的无限期豁免，对三星来说无疑是个好消息，且三星取得豁免后开始采取措施。三星高层决定为中国西安NAND Flash厂升级到236层堆栈技术，并开始大规模扩产。
报引导用消息人士说法，三星开始预购最新半导体设备以转换制程。新设备年底交货，2024年西安厂陆续引进生产第八代NAND Flash技术，业界视为全球NAND Flash闪存需求疲软、产能下降的应对计划。
三星中国半导体有限公司2012年落脚中国西安高新区，是唯一海外内存半导体生产基地，2014年开始运营，2020年增建第二座工厂，生产128层堆栈NAND Flash闪存为主，月产能达20万片12英寸芯片，占三星NAND Flash占总量40%以上。三星计划2024年西安工厂安装逐步转换设备，以生产236层堆栈NAND Flash闪存。
三星中国西安厂第一期工程投资108.7亿美元，2017年开始三星展开第二期工程，两期工程先后投资150亿美元。
(首图来源：三星)
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