2022年9月19日，南京晶升装备股份有限公司(下称“晶升装备”)回复科创板三轮问询。

图片来源：上交所官网

在三轮问询中，上交所主要关注晶升装备市场空间、市场地位、技术先进性、2022年上半年经营情况。

关于技术先进性，根据二轮问询回复，碳化硅单晶炉方面，发行人从产品下游量产应用与竞争对手比较情况，分析先进性。但是，半绝缘型碳化硅单晶炉方面，公司客户6英寸衬底产品主要处于验证阶段，尚未实现量产。导电型碳化硅单晶炉方面，公司客户在碳化硅MOSFET应用领域还在验证阶段，也未实现量产。国外主流厂商已实现8英寸碳化硅衬底的量产应用。

上交所要求发行人说明：公司碳化硅单晶炉技术先进性体现，半绝缘型碳化硅单晶炉相关技术储备及研发进展，公司下游客户相关产品处于验证阶段、尚未量产的原因，与公司设备技术的关系。

晶升装备回复称，公司碳化硅单晶炉包含4-8英寸PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等细分类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备。截至目前，公司碳化硅单晶炉主要量产应用于下游6英寸导电型衬底制备，已实现在汽车(充电桩、车载充电机)、服务器电源、通信电源、光伏逆变器、家用电器等领域的量产应用。

碳化硅单晶炉技术先进性主要体现为下游客户量产应用阶段、应用领域及器件类别、设备及碳化硅晶体技术指标参数等方面。下游碳化硅材料客户(IDM企业、衬底制造企业)通过采购上游晶体生长设备实现晶体生长及衬底生产制造，碳化硅器件制造在衬底外延生长的外延层上实现。

碳化硅单晶炉技术能力与客户工艺技术共同影响碳化硅晶体缺陷水平、良率及制备成本，导致下游客户碳化硅器件的量产应用阶段、应用领域及器件类别存在差异。碳化硅单晶炉技术能力越强，下游客户匹配工艺技术可实现相对领先的量产应用阶段，生长晶体制备高品质衬底材料可实现高端应用领域的碳化硅器件制造，设备技术指标参数具有先进性。

具体分析如下：

1、公司碳化硅单晶炉在下游导电型衬底、碳化硅功率器件领域量产应用进度及规模国内领先，同时也实现了国内领先半绝缘衬底厂商产品验证，可体现产品技术先进性

公司为国内技术领先的碳化硅单晶炉主流厂商。截至目前，在国内碳化硅衬底及下游功率器件应用领域，下游材料及器件厂商主要处于产品送样、测试、小批量供货阶段，国内下游碳化硅厂商实现量产应用进度及规模领先的企业为三安光电、碳化硅单晶炉供应商主要为公司及北方华创。三安光电已在下游导电型衬底、碳化硅功率器件领域实现了国内领先的规模化量产应用进度，公司碳化硅单晶炉通过供应客户三安光电，在上述领域的规模化量产应用进度国内领先。此外，公司也已实现向国内半绝缘型衬底主流领先厂商的产品验证，产品技术具有先进性。下游量产应用具体情况可参见本问询回复函“一、关于市场空间/一/(二)/2/(3)国内碳化硅衬底、晶体生长设备市场竞争格局，公司市场地位及市场占有率”中相关内容。

2、公司碳化硅单晶炉生长晶体制备高品质衬底材料可实现高端应用领域的MOSFET碳化硅器件制造，可体现产品技术先进性

公司客户应用碳化硅单晶炉实现长晶及衬底制备，下游碳化硅器件制造在衬底外延生长的外延层上实现。不同碳化硅应用领域及器件类别对碳化硅衬底品质(晶体缺陷水平)具有差异化技术要求。碳化硅衬底品质(晶体缺陷水平)越高，外延制造器件品质越高，应用下游器件制造领域越广。

碳化硅晶体缺陷水平受客户工艺技术(压力及温度控制策略)及设备技术能力等因素共同影响。公司开发了碳化硅单晶炉压力和温度控制系统，压力波动≤0.05mbar@5mbar，温度波动≤0.5℃@2200℃，可精确控制结晶生长中晶体的温度分布变化及晶体生长速率，抑制生长中的位错缺陷的增殖，有效降低缺陷密度。

公司碳化硅单晶炉所生长晶体目前可满足制备碳化硅MOSFET器件的晶体缺陷要求。因碳化硅MOSFET对晶体品质及缺陷要求更高，国内截至目前尚未实现量产应用。公司客户三安光电碳化硅MOSFET工业级产品已送样客户验证，车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试，有望在国内率先实现下游碳化硅MOSFET器件的规模化量产应用。浙江晶越碳化硅MOSFET工业级产品已向安世半导体、罗姆等知名企业送样验证。

因碳化硅MOSFET技术难度高，国内截至目前尚未实现量产应用，但公司产品在该应用领域中处于领先优势。公司碳化硅单晶炉产品生长晶体可满足高端应用领域碳化硅MOSFET器件对于衬底材料的品质要求，体现了产品技术的先进性。

3、公司碳化硅单晶炉设备技术指标参数具有先进性