我们一起来分析一下

先上一个开关MOS的DS波形

假设在一台数字示波器上只看到这一点波型,知道变压器电感量为1mH, 通过从示波器上测量和计算,得出下列数值(只讲解方法就行了)

1)大约的交流输入电压值

2)次级反到初级的电压

3)占空比

4)变压器漏感

5)变压器和MOS的总杂散电容

6)变压器传送的能量

明显反激,而且是断续模式

刚开始是漏感震荡,后来是电感和mosfet的电容震荡

前一个直流电压是Vin+(Np/Ns)(Vo+VF(二极管导通压降))

后一个就是Vin

后一个震荡的周期可以算出Cds大小

高压时MOS的Cds很小,振荡的电容主体是变压器杂散电容.

根据反射电压,反射电压持续时间,输入电压就可以计算导通时间,占空比也就出来了(伏特秒平衡),Vref*Tvref=Vin*Ton

4,5问如我上所说,只有一个大概的估算

参考大家的理解,谈谈我的看法:

当MOS管电压上升到A点时,输出整流管导通,初级励磁电感箝位于V1. 此时,漏感和杂散电容谐振, 由于变压器线圈存在直流和交流电阻,该振荡位阻尼振荡,消耗了漏感中的能量在B点时,励磁电感中电流下降为零,次级整流管自然截止,励磁电感上电压下降为零. 励磁电感和杂散电容谐振,MOS管的杂散电容Coss向励磁电感放电,Vds电压下降,可从波形中得到验证. 计算:

1.2.:如图所示,可以读出反射电压V1,和Vin(DC).则,交流输入电压约为Vin(DC)/sqrt(2),不带PFC.

3.由伏秒平衡可得,Vin(dc)*Ton=V1*T1,可求得,Ton.那么,占空比D=Ton/(Ton+T1+T2).

4.5:近似求解,从图中分别读出漏感、励磁电感同杂散电容谐振的频率,根据f=1/(2*pi*sqrt(L*c)),由励磁电感感量已知,为1mH,可求得杂散电容值.进一步就可求得漏感的感量.、

6.从波形中可以看出,此时该反激电路工作于断续模式,初级能量完全传送到次级.

根据Vin*Ton=Lp*Ip,其中,Lp为1mH,就可求得初级峰值电流Ip,

那么,该变压器在一个周期内传送的能量为:1/2*Lp*Ip^2.