一般32位单片机没有自带EEROM, 而是有相对丰富的FLASH，但是写FLASH之前必须先做擦除操作才能写入，一般按页擦除，且擦除寿命在10000次左右，因此，需要加一些读写算法，来避免经常性的擦除动作，提高FLASH的寿命。

我们可以开辟一片空间来做相应的处理，假设留出2K【2页】空间做存储。首先根据总存储区长度hislen和每次写入的数据长度datalen，计算出擦除一次可以写入数据的次数n, n = hislen/(datalen + 4 )，如果一次性按照64字节写入，每次写FLASH之前读取4字节校验码，并读取64字节数据计算出校验码，比对不成功后，则确定下来写入的索引值w_index，则进行数据写入以及将本次写入的数据进行计算，将校验值写入校验区，任何一次写入失败，都将w_index清0，FLASH存储BANK1擦除，重新写FLASH, 写到索引为0的位置，成功写入数据和校验后，再将BANK2擦除，具体流程图如下图：

FLASH存储结构如下所示：

读数据时，则从n开始，反向开始查找校验值和数据，并计算出数据校验值, 与校验区数据对比，校验通过则确定出索引值r_index, 则可以计算出地址，取出最新正确的数据。

实际开发中，需要确定可以用来数据存储的最大FLASH空间hislen，以及一次性需要存储的数据长度datalen, hislen越大，datalen越小，则FLASH使用寿命相对越长。

实现策略已介绍完毕，具体代码可自行实现，有需要参考代码的可联系博主。