前言:
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陕西日报消息指出,西安三星半导体一期项目于 2012 年 9 月开工建设,2014 年 5 月建成投产,投资总额由建厂时计划的 70 亿美元增加到实际完成投资 108.7 亿美元,其中闪存芯片项目投资 100 亿美元,封装测试项目投资 8.7 亿美元。
IT之家曾报道,2017 年 8 月 30 日,西安三星半导体投资 70 亿美元在西安高新区建设 12 英寸闪存芯片二期项目,新建一条闪存生产线。2019 年 12 月,该公司决定再投资 80 亿美元,拟对二期项目进行扩建,实现增产及产品迭代。
据悉,三星电子、SK 海力士等韩国半导体大厂都在中国设厂,且生产量市占整个半导体工厂的一半。三星电子在中国西安建立生产 NAND Flash 存储芯片月产可以达到 26.5 万片 12 吋晶圆。而 SK 海力士也在考虑将重要的生产线迁移至中国当地生产。
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