FRAM（铁电存储器）是存储器发展方向之一 应用领域存在一定限制

　　铁电随机存取存储器，简称铁电存储器，英文简称FRAM或者FeRAM。FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。FRAM是新型存储技术，由于同时具有非易失性、随机存储的特性，成为存储器未来发展方向之一。 　

　FRAM的特点主要有：断电后数据不会丢失，是非易失性存储器；读写速度快，无延时写入数据，可覆盖写入；可重复读写，重复次数可达到万亿次，耐久性强，使用寿命长；功耗低，待机电流低，无需后备电池，无需采用充电泵电路；兼容CMOS工艺，工作温度范围宽，可靠性高。

　　目前，半导体存储器主要包括易失性存储器、非易失性存储器两大类，前者代表产品是DRAM，后者代表产品是NAND Flash。DRAM读写速度快，断电后数据无法保存；NAND Flash断电后数据不会丢失，但读写速度较慢。为弥补缺点，DRAM与NAND Flash一般搭配使用。FRAM同时具备DRAM与NAND Flash两者的优点，是一种非易失性、可快速随机读写的存储器。

　　根据新思界产业研究中心发布的《2022-2027年中国FRAM（铁电存储器）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，FRAM存储密度较低，容量有限，无法完全取代DRAM与NAND Flash，但在对容量要求不高、读写速度要求高、读写频率高、使用寿命要求长的场景中拥有发展潜力。FRAM可以应用于消费电子领域，应用在智能手表、智能卡以及物联网设备制造中；可以应用于汽车领域，应用在高级驾驶辅助系统（ADAS）制造中；可以应用于工业机器人领域，应用在控制系统制造中。 　

　FRAM最早由美国Ramtron公司开发问世，1993年Ramtron公司推出首款4Kb FRAM产品。现阶段，全球范围内，FRAM相关研究及生产企业主要有美国赛普拉斯（Cypress，收购Ramtron公司）、美国思美（Symetrix）、美国德州仪器（TI）、日本富士通（Fujitsu）、日本罗姆（ROHM）等。2021年11月，富士通推出全新FRAM内存，容量8Mb，支持并行接口，读写寿命达到100万亿次。 　

　新思界行业分析人士表示，现阶段，新型非易失性存储器主要包括PCM（相变存储器）、MRAM（磁性存储器）、RRAM（阻变存储器）、FRAM（铁电存储器）四种。这四种存储器在替代传统存储器方面均有潜力，但与其他三种产品相比，FRAM在容量方面处于竞争劣势地位，在计算机等产品制造领域不具备竞争优势。长期来看，FRAM拥有发展前景，但在新型非易失性存储器市场中，其份额占比较小。