大家好，今天和大家分享一下STM32F103C8T6读写内部flash，关于103系列的单片机大家可以参考选项手册查看flash的容量

一、芯片FLASH容量分类：

可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64K的，网上也有人说它可以支持到128K，但是官方给出的解释是前64K是有保证的，后面的无法保证，所以想要使用的小伙伴需要慎重。

现在芯片的flash大小我们知道了，下面就可以看看这个flash是怎么划分的了，通过芯片数据手册，我们能看到今天说的STM32F103C8T6是属于中等容量的设备。

既然是中等容量的设备了，那我们就来看看flash划分吧，在STM32的闪存编程手册中有这样一段话：按照不同容量，

存储器组织成：

32个1K字节/页(小容量)

128个1K字节/页(中容量)

256个2K字节/页(大容量)

这段话怎么理解呢，就是告诉我们小容量的设备（内存是6K和32K）的设备是由1K字节每页组成的，

中容量的设备（内存是64K和128K）的设备是由1K字节每页组成的，

大容量的设备（内存是256K、384K和512K）的设备是由2K字节每页组成的，

举个例子吧：

一个芯片的存储容量是64K，这64K是什么呢，就是64*1024个BYTE，一个BYTE是由8位0或1组成的，（比如0000 1111 这8个二进制数组成了一个字节，用十进制来说就是15）

小结一下：64K的flash可以存储64*1024个字节的数据。

咱们继续说，这64K的数据怎么划分，存储是按照页为单位进行存储的，一页1K的容量，也就说一页可以存储1024个字节

一共是多少页？

答案是：64页，我们看一下官方是不是这么说的

在闪存编程手册里确实是这么说的，所以我们刚才说是64页是正确的

二、 读写步骤：

上面我们知道了芯片是怎么分类的，下面我们就重点来讲解一下芯片是怎么读写的。

内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准库，有兴趣的小伙伴可以去看看HAL库

是不是有小伙伴会疑问什么是标准库，什么是HAL库？

在这里给大家解释一下，这两个库都是ST公司，直接把寄存器封装成函数，供大家直接调用某一个函数，就可以完成各种寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便阅读和使用，因为每个函数的名称功能都是不一样的，在调用前可以参考函数的注释，在F0和F4的标准库里甚至有每个函数的用法，不知道为什么在F1的库里把使用步骤去掉了。

咱们继续，读写的话库函数分为：

/*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);void FLASH_Unlock(void);void FLASH_Lock(void);FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);/*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_UnlockBank1(void);void FLASH_LockBank1(void);FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_t Timeout);

在这里就不一个一个地详细说了，我们说一下常用的就行

1. 解锁

void FLASH_Unlock(void);

2. 上锁

void FLASH_Lock(void);

3. 页擦除

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);

4. 半字写入

FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);

上面这4个函数就是我们最常用的。

下面说一下数据写入的步骤，

第一步：解锁

第二步：判断写入的数据是否被擦除过，也就是判断写入的地址内存放的是不是0xFFFF 这里要重点说一下，为什么要判断是不是0xFFFF而不是判断是不是0xFF呢？因为我们每次写入数据都要写入半字，也就是两个字节的数据才行，而且写入的地址只能是2的整数倍，不能是奇数。这里大家注意一下。

第三步：写入数据 STM32F103C8T6只能按照半字的方式进行数据写入，写入前的数据必须是0XFFFF，因为FLASH数据写入，只能写0，不能写1，这也就是为什么我们要先确保写入前的数据是被擦除了的原因。

第四步：上锁

第五步：验证写入是否正确

其实第五步可以省略。

我们看看官方给的写入过程

好了，其实是一样的。

下面我就和大家来分享一下（百分之九十九参考的正点原子的例程）

//不检查的写入//WriteAddr:起始地址//pBuffer:数据指针//NumToWrite:半字(16位)数   void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   {                                                   u16 i;        for(i=0;i<NumToWrite;i++)        {                FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);            WriteAddr+=2;//地址增加2.        }  }

//从指定地址开始写入指定长度的数据//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)//pBuffer:数据指针//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)        {        u32 secpos;           //扇区地址        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)                    u16 i;            u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址        FLASH_Unlock();                                                //解锁        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小           if(NumToWrite<=secremain)        {          secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围        }        while(1)         {                        STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE)+STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据//                for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i++)//校验数据                {                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  //        if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除                                         }                FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);                if(i<secremain)//需要擦除//                if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除                {                        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制                        {                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;                                  }                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区                  }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                                    if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了                else//写入未结束                {                                secpos++;                                //扇区地址增1                                secoff=0;                                //偏移位置为0                                            pBuffer+=secremain;          //指针偏移                                WriteAddr+=（secremain*2）;        //写地址偏移                                            NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减                                if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))                                {                                  secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完                                }                                else                                 {                                   secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了                                }                }                 }                FLASH_Lock();//上锁}

最终我们调用STMFLASH_Write（）函数进行数据的写入，是不是有没看懂的小伙伴，我给大家解释一下写入的过程吧

这个STMFLASH_Write（）函数，是说给定一个写入的地址、数据和写入的个数，然后按照给定的地址开始写数据，注意红色字体。

写数据是怎么做的呢

首先是整理一下写入的页地址和需要写入多少页，每一页写入的话起始地址是什么

然后开始一页一页的写，当遇到跨页写入的时候，把第二页的地址写进去，写的个数继续写入就行

如果还有不明白的可以在下面留言，我给大家解答

还有一个地方很重要，就是我修改了库函数

/**  * [url=home.php?mod=space&uid=247401]@brief[/url]  Programs a half word at a specified address.  * [url=home.php?mod=space&uid=536309]@NOTE[/url]   This function can be used for all STM32F10x devices.  * @param  Address: specifies the address to be programmed.  * @param  Data: specifies the data to be programmed.  * @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_ERROR_PG,  *         FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.   */FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data){        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;  /* Check the parameters */  assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));#ifdef STM32F10X_XL  /* Wait for last operation to be completed */  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);  if(Address < FLASH_BANK1_END_ADDRESS)  {    if(status == FLASH_COMPLETE)    {      /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */      FLASH->CR |= CR_PG_Set;      *(__IO uint16_t*)Address = Data;      /* Wait for last operation to be completed */      status = FLASH_WaitForLastBank1Operation(ProgramTimeout);      /* Disable the PG Bit */      FLASH->CR &= CR_PG_Reset;    }  }  else  {    if(status == FLASH_COMPLETE)    {      /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */      FLASH->CR2 |= CR_PG_Set;      *(__IO uint16_t*)Address = Data;      /* Wait for last operation to be completed */      status = FLASH_WaitForLastBank2Operation(ProgramTimeout);      /* Disable the PG Bit */      FLASH->CR2 &= CR_PG_Reset;    }  }#else  /* Wait for last operation to be completed */  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);  if(status == FLASH_COMPLETE)  {    /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */    FLASH->CR |= CR_PG_Set;    *(__IO uint16_t*)Address = Data;    /* Wait for last operation to be completed */    status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);    /* Disable the PG Bit */    FLASH->CR &= CR_PG_Reset;  } #endif  /* STM32F10X_XL */  /* Return the Program Status */  return status;}

大家能看出来吗?就是红色字体部分，增加了一个每次写入前清除所有异常状态。

为什么添加这个呢？

因为，如果你写入的数据的地址没有擦除，你就写入的话会导致异常状态的发生，而这个异常状态是要手动清除的，如果你没有清除这个异常状态，而继续写入数据的话，那么你后面写入任何数据都会报错，均写不进去，所以我在这里增加了一个异常状态清除，如果前面写入的数据报错了，不会影响我接下来的数据写入。

这里大家就清除为什么了吧。

写数据会了，那么再说一下读数据，其实这里读数据要比外部flash读取容易得多，我们直接读取地址，返回的就是地址存放的数据，是不是很简单

看下面的函数

//读取指定地址的半字(16位数据)//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)//返回值:对应数据.u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr){        return *(vu16*)faddr; }//从指定地址开始读出指定长度的数据//ReadAddr:起始地址//pBuffer:数据指针//NumToWrite:半字(16位)数void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)           {        u16 i;        for(i=0;i<NumToRead;i++)        {                pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.                ReadAddr+=2;//偏移2个字节.                }}

有没有很开心，读写数据就是这么简单就完成了。

以后如果我们想开发BootLoader、把剩余的flash利用起来，就都很简单了。我会把用到的数据手册当成附件挂到下面，大家可以自行下载

以后我们再一起学习其他的功能，最后打个广告，ST的芯片很给力，大家应该多支持，如果你觉得学到了知识的话，那么请留意评论谢谢

原标题：（STM32F103）神操作--如何快速读写内部flash？

原作者：binoo7

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